【文/观察者网 吕栋】“中国不太可能独立复制(replicate)出顶尖的光刻技术,因为阿斯麦依赖于不懈的创新,以及整合只有从非中国供应商处才能获得的零部件。但我的意思并不是绝对不可能,因为中国的物理定律和我们这里是一样的。永远别那么绝对(Never say never),他们肯定会尝试的。”当地时间1月19日,荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)CEO温彼得(Peter Wennink)表示。
过去几年,阿斯麦一直在研发高数值孔径(0.55 NA)EUV光刻机。这种EUV光刻机采用最新的光学设计,具有更高的分辨率(由13nm升级到8nm),可以使芯片面积缩小1.7倍,晶体管密度增加2.9倍。与目前的0.33 NA EUV光刻机相比,0.55 NA光刻机可以显著提高良率、降低成本和缩短生产周期。当然,0.55 NA光刻机的价格也相当昂贵,每台售价约为3亿美元(约合人民币19亿元),比0.33 NA光刻机售价高出一倍。
目前,台积电等生产7nm-5nm制程的芯片采用的都是0.33 NA EUV光刻机,而第一代0.55 NA光刻机TWINSCAN EXE:5000还在研发过程中,预计2023年上市。早在2018年,英特尔就率先向阿斯麦下单第一代0.55 NA EUV光刻机,该公司也有望成为首个高数值孔径EUV光刻机的使用者,并将其用于3nm及以下制程。